Transistor de puissance double IGBT de type 2MBI400N-060

Module électronique semi-conducteur IGBT modèle 2MBI400N-060

Le transistor de puissance double 2MBI400N-060 appartient à la catégorie des dispositifs de commutation à haute impédance d'entrée. Sa structure combine la simplicité de commande d'un Mosfet avec la faible tension de saturation d'un transistor bipolaire classique, s'imposant comme le standard de l'électronique de puissance moderne.

Une conductivité optimale pour la conversion d'énergie lourde

Ce composant permet de commuter des charges électriques importantes avec une puissance de commande minimale. L'utilisateur réduit la complexité des circuits électroniques de pilotage situés en amont. Cette simplification réduit le taux de panne général du système et optimise l'espace disponible sur les cartes électroniques principales de contrôle.

Synthèse des paramètres fonctionnels du module

1. Courant nominal continu de 400 Ampères pour les applications de traction.
2. Tension de tenue de 600 Volts adaptée aux réseaux industriels triphasés standards.
3. Boîtier compact facilitant la disposition en parallèle pour augmenter l'intensité totale.

Applications au sein des environnements exigeants

Idéal pour les postes de soudure industriels, les systèmes de découpe plasma, ainsi que pour les chargeurs de batteries de forte capacité dédiés aux flottes de chariots élévateurs en entrepôt logistique.